Kereső
Bejelentkezés
Kapcsolat
|
|
A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples |
| Tartalom: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003811019290067M/pdf?md5=b2f145ec6c9b640ec73c72d... |
|---|---|
| Archívum: | REAL |
| Gyűjtemény: |
Status = Published
Subject = Q Science / természettudomány: QC Physics / fizika: QC06 Physics of condensed matter / szilárdtestfizika Subject = T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok: TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering / elektrotechnika, elektronika, atomtechnika Subject = T Technology / alkalmazott, műszaki tudományok: TA Engineering (General). Civil engineering (General) / általános mérnöki tudományok Subject = Q Science / természettudomány: QC Physics / fizika Type = Article |
| Cím: |
A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples
|
| Létrehozó: |
Dózsa, László
|
| Dátum: |
1992
|
| Téma: |
QC Physics / fizika
QC06 Physics of condensed matter / szilárdtestfizika
TA Engineering (General). Civil engineering (General) / általános mérnöki tudományok
TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering / elektrotechnika, elektronika, atomtechnika
|
| Típus: |
Article
PeerReviewed
|
| Formátum: |
text
|
| Azonosító: |
Dózsa, László (1992) A new method to measure fast defect transients in semiconductor and/or insulator samples. SOLID-STATE ELECTRONICS, 35 (2). pp. 228-230. ISSN 0038-1101
|
| Kapcsolat: |