Diffúzió és diffúzió kontrollált jelenségek vizsgálata fém/félvezető nanorétegekben SNMS technikával<BR />Investigation of diffusion and diffusion controlled processes in metal/semiconductor nanolayers by SNMS technique - TUdományos DOkumentumok Közös Keresője

in English |
magyarul

Betűméret: Súgó

Kereső

Bejelentkezés

Regisztráció

Kapcsolat

MTA KIK
HUN-REN SZTAKI DSD

Diffúzió és diffúzió kontrollált jelenségek vizsgálata fém/félvezető nanorétegekben SNMS technikával
Investigation of diffusion and diffusion controlled processes in metal/semiconductor nanolayers by SNMS technique

Metaadatok

Tartalom:	http://hdl.handle.net/2437/104533
Archívum:	DEA PhD
Gyűjtemény:	PhD dolgozatok Fizikai Tudományok Doktori Iskola
Cím:	Diffúzió és diffúzió kontrollált jelenségek vizsgálata fém/félvezető nanorétegekben SNMS technikával Investigation of diffusion and diffusion controlled processes in metal/semiconductor nanolayers by SNMS technique
Létrehozó:	Lakatos, Ákos
Közreműködő:	Langer, Gábor Fizikai tudományok doktori iskola DE--TEK--Természettudományi Kar -- Szilárdtest Fizika Tanszék Lakatos, Ákos
Dátum:	2011-04-14T13:16:48Z 2011-04-14T13:16:48Z 2011 2011-04-29
Téma:	Diffusion Diffúzió semiconductor nanolayers félvezető vékonyrétegek Fizikai tudományok Természettudományok
Tartalmi leírás:	Doktori értekezésemben fémek és félvezetőrétegek közötti atommozgások által kontrollált jelenségeket vizsgáltam. A kísérletek során a mintákat magam készítettem, majd alacsony hőmérsékletű hőkezelések után vizsgáltam a mélységi elem összetételbeli változásokat másodlagos neutrális részecske tömegspektrometriával. Az SNMS profilokat koncentráció-mélység görbékre történő átszámolása egyes helyeken diffúziós együtthatók meghatározását, és azok aktiválási energiáinak meghatározását tette lehetővé. Munkámban próbáltam az SNMS berendezés eddig ismert alkalmazási lehetőségeit bővíteni az atommozgási folyamatok vizsgálata terén. Investigations of diffusion effects in nanolayered systems by mass spectroscopic methods are well-known and there is an increasing demand for them. Secondary Neutral Mass Spectrometry as a depth profiling method is sensitive enough to map concentration profiles formed in thin film systems with good spatial resolution and high lateral homogeneity. This instrument fulfils the requirements for quantitative chemical surface, in-depth, and bulk analysis. In my thesis I provide a description on diffusion controlled changes in metal- semiconductor thin films. After the preparation of the samples by magnetron sputtering they were heat treated and measured by SNMS. NE
Nyelv:	magyar angol
Formátum:	application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf 101 application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf application/pdf
Azonosító:	http://hdl.handle.net/2437/104533